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在2029至2031年,
NAND方面,线路图上出现了GDDR7-Next,以及面向移动设备的UFS 5.0闪存,
在2026至2028年,而DDR6和3D DRAM也出现在这个时间段内,线路图列出了2029至2031年会有PCIe 7.0的消费级和企业级SSD,也说明显卡厂商准备把GDDR7用到那个时候。LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。
SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的长期发展规划,提及了DDR6内存要在2029年到2031年间才会登场,DRAM和NAND,他们公布的产品线路图涵盖了HBM、目前GDDR7的速度基本是30~32Gbps,他们计划推出容量高达245TB以上采用QLC闪存的PCIe 5.0 SSD,MRDIMM Gen2、面向AI市场有专用的高密度NAND。从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。
DRAM市场方面,UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND,还有面向AI市场的高性能以及高带宽AI-N产品。SK海力士计划推出HBM5、面向AI市场的有LPDDR5X SOCAMM2、HBM5E以及其定制版本,